بسیاری از خانواده های مختلف منطقی به صورت مدار های مجتمع در سطح تجاری عرضه شده اند. متداول ترین خانواده ها از این قرارند:
TTL - منطق ترانزیستور - ترانزیستور
ECL - منطق کوپل امیتر
MOS - منطق فلز - اکسید - نیمه هادی
CMOS - منطق فلز - اکسید - نیمه هادی مکمل
TTL یک خانواده متداول است که سالها مورد استفاده بوده و به عنوان استاندارد تلقی می شود. ECL در سیستم هایی که به سرعت عمل بالا نیاز دارند ترجیح داده می شوند. MOS برای مدار هایی که نیاز به تراکم بالا دارند مناسب است و CMOS در سیستم های کم مصرف به کار می رود.
خانواده منطقی ترانزیستور - ترانزیستور گونه تکامل یافته تکنولوژی قدیمی تریست که در آن از دیود و ترانزیستور برای ساخت گیت پایه NAND استفاده می شده است. این تکنولوژی منطق دیود ترانزیستور (DTL) خوانده می شده است. بعد ها برای بهبود عملکرد مدار به جای دیود از ترانزیستور استفاده شد و نام خانواده جدید ترانزیستور- ترانزیستور گذاشته شد.

علاوه بر نوع استاندارد TTL انواع دیگری از این خانواده عبارتند از TTL سرعت بالا -TTL توان پایین(یا کم مصرف)-TTL شوتکی -TTL شوتکی توان پایین و....
منیع تغذیه مدار های TTL پنج ولت و در دو سطح منطقی 0 و 3.5 ولت می باشد.
خانواده کوپل امیتر سریع ترین مدار های دیجیتال را به فرم مجتمع در اختیار می گذارند. ECL در مدار هایی مانند سوپر کامپیوتر ها و پردازنده های سیگنال که در آنها سرعت بالا ضرورت دارد بکار می رود. ترانزیستور ها در گیت های ECL در حالت غیر اشباح کار می کنند و رسیدن به تاخیر های انتشاری در حد 1 تا 2 نانو ثانیه در آنها میسر است.
منطق فلز- اکسید- نیمه هادی یک ترانزیستور تک قطبی ست که به جریان یک نوع حامل الکتریکی وابسته است. این حامل ها ممکن است الکترون (در نوع کانال n) یا حفره باشند. این بر خلاف ترانزیستور به کار رفته در گیت های TTL/ECL است که در عین عملکرد هر دو نوع حامل در آن وجود دارد.
یک MOS کانال p را PMOS و یک MOS کانال n را NMOS می نامند. معمولا در مدار هایی که فقط یک ترانزیستور MOS وجود دارد از NMOS استفاده می شود. در تکنولوژی CMOS هر دو نوع ترانزیستور که به شکل مکمل در تمام مدار ها بسته شده اند به کار رفته است . بزرگترین مزیت CMOS نسبت به دو قطبی تراکم بالای مدار ها در بسته بندی ساده بودن تکنیک ساخت و عملکرد مقرون به صرفه آن به دلیل مصرف توان کم است.
در تراکم یا پچیدگی آی سی ها از اصطلاحات متداول زیر استفاده می کنند:
Scale Integration SSI Small -۱ با تراکم 10-1گیت مانند آی سی های ORو ..
2- MSI Medium " " با تراکم 100-10گیت
3- LSI Large " " با تراکم 1000-100گیت
4- VLSI Very Large " " با تراکم 10000-1000گیت
5- SLSI Super Large " " با تراکم 100000-10000گیت
6- ULSI Ultra Large " " با تراکم بیش از 100000 گیت
به علت مزایای بی شمار مدار های مجتمع انحصارا در تهیه انواع قطعات لازم در طراحی سیستم های کامپیوتر به کار می رود . برای درک سازمان و طراحی کامپیوتر ها آشنایی با انواع قطعات و اجزائ به کار رفته در مدار های مجتمع اهمیت دارد. به این دلیل اجزائ اصلی به همراه خواص منطقی آن تشریح شده است این اجزا مجموعه ای از واحد های عملیاتی دیجیتال را فراهم می کنند که در طراحی کامپیو تر های دیجیتال یه عنوان بلوک های ساختمان اصلی پایه به کار می روند
تفاوت ها زیادی بین IC های TTL و CMOS وجود دارد به دلیل اینکه اصولا دو تکنولوژی متفاوت هستند.
TTLجز تکنولوژی های دو قطبی است که خود تکنولوژی دو قطبی شامل چندین خانواده است که بررسی روند تکامل و تفاوت هاشون در نوع خودش جالب هست. تکنولوژی های دو قطبی(به ترتیب روند پیشرفت) عبارتند از ECL,TTL,DTL,RTL.
اما CMOS به دلیل ساختمان متفاوتش با تکنولوژی دو قطبی، به نوعی باعث تحول و انقلاب در الکترونیک دیجیتال شد! چرا که امکان ایجاد پیکر بندی های متفاوت از اون و گسترش اون بر روی تراشه امکان پذیر شد. اگه مراحل ساخت BJT رو ببینید متوجه می شید در BJT نیاز به نفوذ لایه های p و n روی هم(به صورت طبقه طبقه) بود ولی در ساخت Cmos نیازی به این کار نبود و امکان گسترش اون بر روی تراشه فراهم هست.
حالا اگه بخوایم موردی اشاره کنیم، میشه گفت:
• توان مصرفی بالا در TTL در مقایسه با CMOS
• فن اوت (FAN OUT) کمتر در TTL
• مساحت ترانزیستور در TLL بیشتر (جریان در ماسفت به مساحت ترانزیستور بستگی نداره بلکه به نسبت ابعاد کانال وابسته است.بر خلاف BJT که جریان به مساحت وابسته است، به همین خاطر میشه ماسفت ها رو تا حد امکان کوچک ساخت و تراکم ترانزیستور ها در تراشه رو فوق العاده زیاد کرد)
• تاثیر خیلی کمتر الکتریسته ساکن بر CMOS به دلیل ایزوله بودن گیت
• TTL به نسبت سریعتر هستند
• امپدانس ورودی بسیار زیاد در Cmos ، در نتیجه بارگذاری کمتر و Fan out بیشتر
• خواص خازنی Cmos بیشتره به دلیل وابسته بودن عملکرد ماسفت به ولتاژ (در نتیجه سرعت کمتر)